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通厚膜压力传感器芯片与陶瓷环采用黏结工艺而采用芯片与陶瓷环实现一体化,从而使传感器的线性、重复性和迟滞性(Linearity,
Hysteresis & Repeatability
)有显著的提高。同时,一体化结构克服了普通厚膜压力传感器芯片与陶瓷环的电气联接采用导电树脂互联而采用直接互联,传感器的可靠性、稳定性和工作温度范围大大得到提高。一体化厚膜压力传感器的优异性能,是压力传感器的发展方向。
TG2018厚膜压力传感器主要技术参数:
压力范围 bar 2 5 10 20 50
过载压力 bar 7 12 25 50 120
灵敏度 mV/V 1.8-3.0 2.6-4.5 3.6-6.0 2.6-3.8 4.3-6.5
序
号
特
性
单
位
规
范
1 激励电压 VDC/stabilized 5-30
2 桥路阻抗 kΩ±20% 11
3 满度信号范围
mV/V 1.8-6.5
4 零位输出 mV/V 0-±0.2
5 线性、重复性和迟滞性
%FSO typ ≤±0.2-0.4
6 参考温度范围
℃
25
7 工作温度范围
℃
-40-+125
8 稳定性 %FS/每年
±0.2
9 灵敏度温飘
%FS/℃
≤±0.015 0-70℃
10 零位温飘
%FS/℃
≤±0.02 0-70℃
11 時飘 % ≤0.02 |